全球首次:杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长

IT之家 9 月 14 日消息,杭州镓仁半导体有限公司宣布,凭借其自主研发的 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备,在全球范围内首次成功实现 12 英寸氧化镓晶体的等径生长。

据介绍,等径生长是推动晶体迈向产业化进程的关键环节。只有当晶体形成直径一致的等径段时,晶锭才能具备连续稳定、可直接用于切割和研磨的有效部分。等径段越厚,单根晶锭可切割出的合格衬底片数量就越多,从而降低每片衬底的成本。

此外,12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线具有良好的兼容性,能显著减少下游设备的投资以及产线切换费用,进而缩短研发周期。

IT之家注意到,今年 3 月,镓仁半导体已实现全球首次 8 英寸氧化镓同质外延生长,相关成果获得了国内外第三方机构的权威认证。

官方指出,镓仁半导体自研的 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备,温控精度达到 ±0.1 ℃,具备“设备 + 工艺包”一体化能力,成功实现了从 2 英寸到 12 英寸晶体的快速迭代。

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